窄禁带半导体物理学

本书主要讨论了窄禁带半导体物理的基本物理性质，包括晶体生长、能带结构、光学常数、晶格振动、自由载流子的激发和运输、杂质缺陷、非线性光学性质、表面界面、二维电子气超晶格和量子阱、器件物理的方面基本物质发现的现象、效应和规律，以及近年来的主要研究进展。