半导体光电阴极

负电子亲和势（NEA）半导体光电阴极的出现，使光电阴极的发展摆脱了完全以经验为基础的局面，进入了以半导体带隙工程为指导，进行科学设计的新阶段。GaAs－NEA光电阴极的出现，有力地推动了夜视技术的发展。同时，由于NEA光电阴极本身的特点，使其作为电子加速器的自旋极化电子源和高亮度电子源，在高能物理和固体表面研究中，表现出明显的潜力和实用价值。除此之外，NEA光电阴极在天文，航空航天，生物化学，光纤通讯及半导体工业等方面也都派上了用场。本书全面介绍了半导体NEA光电阴极的发展，各种半导体NEA光电阴极的工作原理，制备技术，性能特点及应用方面等本书适合从事电子物理、电真空物理、光电成像和夜视技术领域的科技人员，高等学校教师，大学生和研究生阅读参考。