金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制

较系统地探究了过渡族金属氧化物纳米线的物理性质和相关应用。在研究中发现，过渡族金属氧化物一维纳米结构具有丰富的物性。采用合适的工艺技术，可以研制出性能优良的单根纳米线器件。本书发展了一条设计和研制高灵敏性、具有良好选择性气敏纳米传感器的途径，并为新型纳米器件的设计奠定了基础。