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第一章 导论 1

第二章 真空和气体分子动力学 7

2.1前言 7

2.2真空和状态方程式 7

2.2.1何谓真空 7

2.2.2理想气体和气体性质 9

2.3气体的压力和内部能量 10

2.3.1压力和分子速度 10

2.3.2气体的内部能量 12

2.4全压和分压 14

2.5气体分子速度的分布定律 15

2.5.1 Maxwell-Boltzmann分布 15

2.5.2通过单位面积的分子数 19

2.5.3馀弦定律 23

2.6平均自由路径和碰撞机率 24

2.6.1平均自由路径 24

2.6.2碰撞机率 27

2.6.3混合气体的平均自由路径 29

2.7真空中的气流 29

2.7.1黏性流和分子流 29

2.7.2气导 30

2.7.3排气量和排气速度 32

2.7.4气体添加和压力控制，平均停留时间 33

2.8真空设备 34

2.8.1真空容器和管路 34

2.8.2真空泵浦 35

第三章 电浆的基础 45

3.1前言 45

3.2何谓电浆 46

3.2.1电浆中的粒子状态 46

3.2.2电磁场中的带电粒子运动 50

3.3电子和气体分子的碰撞过程 53

3.3.1弹性碰撞和非弹性碰撞 53

3.3.2碰撞过程 56

3.3.3碰撞截面积 59

3.4接触物体的电浆构造 61

3.5电浆设备和电浆的内部现象 64

3.5.1直流电浆 64

3.5.2高频电浆 69

3.5.3微细加工用的新电浆 72

第四章 物理蒸镀法（PVD） 77

4.1前言 77

4.2真空蒸镀法 78

4.2.1蒸发和蒸镀 78

4.2.2真空蒸镀源和各种蒸镀法 87

4.2.3真空蒸镀法的特征 90

4.3溅镀法 91

4.3.1何谓溅镀法 91

4.3.2溅镀法的沉积过程 93

4.3.3溅镀沉积设备 100

4.3.4其它的溅镀沉积法 102

第五章 薄膜的形成过程 107

5.1前言 107

5.2薄膜成长与其表面 107

5.2.1原子沉积和膜的型态 107

5.2.2薄膜表面 110

5.3晶核的产生 112

5.3.1以平衡理论解释 112

5.3.2晶核产生的速度理论 116

5.4薄膜组织的发展 120

5.4.1岛的成长和结合 120

5.4.2多晶薄膜组织的发展 122

5.4.3磊晶成长 125

第六章 蚀刻 129

6.1前言 129

6.2蚀刻加工的分类 129

6.3湿蚀刻 134

6.3.1等向性蚀刻 134

6.3.2异向性蚀刻 135

6.4物理性干蚀刻 137

6.5化学性干蚀刻 139

6.5.1热反应性化学蚀刻 139

6.5.2电浆蚀刻 140

6.5.3光化学蚀刻和电荷累积 145

6.6物理＋化学性干蚀刻 146

6.6.1反应性离子蚀刻（RIE） 146

6.6.2其它的离子辅助蚀刻法 150

第七章 微影 153

7.1前言 153

7.2微影概述 154

7.3光阻制程 156

7.3.1光阻材料 157

7.3.2涂布制程 158

7.4光罩 159

7.4.1光罩材料 160

7.4.2光罩图案的设计 161

7.5曝光 162

7.5.1曝光设备 162

7.5.2光源 168

附录A基础常数表和真空的单位 171

附录B材料科学附记 173

B.1原子构造和化学键结 173

B.2结晶形态和结晶方向 176

B.2.1结晶构造 176

B.2.2 Miller指数 177

B.2.3 Miller指数的数学意义 179

B.2.4结晶晶面 179

B.3扩散 181

B.3.1扩散现象 181

B.3.2通量和Fick定律 183

B.4平衡 184

B.4.1何谓平衡 184

B.4.2原子热运动和热活化过程 185

B.4.3化学平衡 187

B.4.4自由能 188

B.5反应速度理论 190

附录C分布函数和Maxwell-Boltzmann分布 193

C.1分布函数的性质 193

C.2 Maxwell-Boltzmann分布 195

附录D对数刻度和对数图 201

D.1单对数图 202

D.2双对数图 203

D.3以方眼纸作对数图？ 204

参考文献 209

问题简答·提示 211

索引 217

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