第1部分 石墨烯的制备 1
第1章 碳化硅(SiC)上石墨烯的外延生长 1
1.1 引言 1
1.2 超高真空下单晶SiC的热分解 2
1.3 环境压力下单晶SiC的热分解 11
1.4 单晶SiC薄膜和多晶SiC基板的热分解 14
1.5 插层制备外延石墨烯 15
1.6 结论 17
1.7 参考文献 18
第2章 化学气相沉积(CVD)制备石墨烯 24
2.1 引言 24
2.2 镍衬底上的化学气相沉积 26
2.3 铜表面大尺寸石墨烯 27
2.4 单晶铜上的石墨烯生长 30
2.5 周期性堆叠的多层石墨烯 31
2.6 CVD石墨烯的同位素标记 33
2.7 结论 36
2.8 参考文献 36
第3章 化学法制备石墨烯 45
3.1 引言 45
3.2 氧化石墨烯的合成 46
3.3 氧化石墨烯(GO)的还原 47
3.4 氧化石墨烯的物理化学结构 48
3.5 氧化石墨烯的电传输 53
3.6 氧化石墨烯与还原的氧化石墨烯的应用 57
3.7 结论 63
3.8 参考文献 63
第4章 电化学剥离制备石墨烯 75
4.1 引言 75
4.2 电化学剥离制备石墨烯相关基本概念 76
4.3 石墨烯和石墨烯基材料的应用 84
4.4 结论 85
4.5 参考文献 85
第2部分 石墨烯的表征 91
第5章 透射电子显微镜与石墨烯 91
5.1 引言 91
5.2 石墨烯结构基础 93
5.3 石墨烯的电子衍射分析 95
5.4 石墨烯及其缺陷的像差校正TEM和STEM分析 97
5.5 石墨烯电子显微分析的启示 101
5.6 结论 106
5.7 参考文献 107
第6章 石墨烯的扫描隧道显微镜分析 113
6.1 引言 113
6.2 不同惰性衬底上沉积石墨烯片的形貌、完整性和电子结构 113
6.3 SiC和金属衬底上外延生长石墨烯的形貌、完整性及电子结构 119
6.4 点缺陷的扫描隧道显微镜(STM)和扫描隧道谱(STS)分析 131
6.5 石墨烯纳米带的STM/STS研究 132
6.6 结论 134
6.7 参考文献 134
第7章 石墨烯的拉曼光谱 141
7.1 引言 141
7.2 拉曼散射原理 141
7.3 石墨烯内的声子 144
7.4 石墨烯的电子结构 146
7.5 石墨烯拉曼光谱 148
7.6 结论 161
7.7 参考文献 162
第8章 低维碳材料的光电子能谱 166
8.1 引言 166
8.2 光电子发射光谱学 167
8.3 碳sp2杂化体系的电子性质:C 1 s芯能级 170
8.4 化学态的识别:键合环境 173
8.5 价带的电子结构 174
8.6 结论 174
8.7 参考文献 174
第3部分石墨烯及石墨烯器件的电子传输性能 178
第9章 石墨烯的电子传输:高迁移率 178
9.1 引言 178
9.2 散射强度的衡量参数 179
9.3 石墨烯制备方法 182
9.4 石墨烯的散射来源 183
9.5 增加载流子迁移率的方法 188
9.6 高迁移率石墨烯的物理现象 195
9.7 结论 196
9.8 参考文献 197
第10章 双层石墨烯的电子传输 205
10.1 引言 205
10.2 双层石墨烯的历史发展 206
10.3 双层石墨烯体系中的传输性能 211
10.4 双层石墨烯中传输性能的多体效应 221
10.5 结论 232
10.6 参考文献 233
第11章 吸附物对石墨烯电子传输的影响 241
11.1 引言 241
11.2 吸附物与石墨烯的相互作用 242
11.3 转移引发的金属和分子吸附 244
11.4 吸附对石墨烯场效应晶体管的影响 248
11.5 石墨烯中聚合物残留物的去除 253
11.6 结论 258
11.7 参考文献 260
第12章 石墨烯中的单电荷传输 266
12.1 引言 266
12.2 单电荷隧穿 267
12.3 石墨烯的电性能 269
12.4 石墨烯中的单电荷遂穿 274
12.5 石墨烯的电荷局域化 282
12.6 结论 288
12.7 参考文献 288
第13章 石墨烯自旋电子学 297
13.1 引言 297
13.2 理论基础及重要概念 298
13.3 纯自旋电流的试验获得及其性能 304
13.4 结论及展望 310
13.5 参考文献 311
第14章 石墨烯的纳米电机学 316
14.1 引言 316
14.2 石墨烯与硅 316
14.3 石墨烯的力学性能 317
14.4 石墨烯微机电系统(MEMS)制备技术 320
14.5 石墨烯纳米谐振器 322
14.6 石墨烯纳米机械传感器 329
14.7 结论及发展趋势 330
14.8 参考文献 331
索引 337