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半导体激光器 2

激光器 2

激光器小信号频响 24

DFB激光器等效电路模型 26

FP，DFB，DBR的区别 30

【5G光模块】——FP激光器的模式分配噪声 35

DFB双峰对光通信系统的影响 37

DFB激光器双峰 40

DFB直调激光器的发展方向 41

相干光模块中的窄线宽激光器 46

用于突发模式下一代PON的MEL激光器-双电级DFB 47

非制冷DWDM激光器 50

FP和DBR的区别 53

DFB的发展史 58

DFB的光栅 60

双腔DFB激光器 62

区分FP， DFB， DML， EML， VCSEL 65

激光器发散角优化结构 69

为什么激光器的BH结构需要多次外延 71

背光 74

为什么不能“轻易”把GPON ONU的DFB激光器换成便宜的FP 76

区分DFB， DML， EML 80

DBR激光器 82

DFB激光器的增益耦合光栅与折射率耦合光栅 83

多纵模激光器的传输距离 87

单纵模激光器的传输距离 89

FP与DFB的波长温度漂移 91

区分电光效应、光电效应与电致发光效应 94

相干通信历程、可调谐光源标准发展史 97

可调谐激光器 102

外腔激光器 104

DML的啁啾与补偿 108

激光器的啁啾、展宽与色散 108

啁啾 110

直调激光器啁啾管理的几个方案 113

啁啾光栅与色散补偿 115

利用微环做DML的啁啾管理 117

直调激光器的传输并不是距离越长TDP就一定越大 121

PT对称光栅 122

Avago的高速VCSEL 124

MEMS VCSEL 128

比VCSEL小100倍的BICSEL 130

Finisar VCSEL用OM4光纤可传输2.3 km的56 Gb/sPAM4信号 134

超薄激光器 135

铌酸锂调制器 140

电光调制器 140

铌酸锂调制器 141

为何铌酸锂调制器那么长 146

铌酸锂薄膜制备 148

电吸收调制器 154

EAM电吸收调制器等效模型 154

为何探测器和电吸收调制器，加反电压，而不是正电压 157

电吸收调制器的吸收波长红移 159

非制冷单波100 Gb/s EML 164

EML更容易实现更大的消光比 167

电吸收调制激光器EML 169

为什么EML要加一个TEC 171

半导体调制器 176

热光调制 176

PN结载流子耗尽型硅基调制器 178

光调制器的载流子耗尽型与注入型的区别 181

光探测器 186

探测器 186

探测器响应度与光模块灵敏度之间的关系 196

几种探测器的结构 198

垂直型与波导型PIN 202

平衡探测器 204

探测器速率与结电容 207

探测器结构与响应度、灵敏度 211

探测器材料与截止波长 214

探测器材料之Si， GeSi， GaAs 217

探测器响应度下降原因 218

APD的盖革模式 220

APD盖革模式的应用 223

光电二极管台面结构 225

半导体工艺 230

GaAs衬底 230

激光器衬底——InP单晶 233

激光器中含铝材料 238

为什么激光器的热烧蚀，更容易发生在腔表面 244

激光器有源材料晶格缺陷与可靠性，GaAs比InP更难 246

激光器晶格缺陷之线位错 248

激光器衬底生长技术：V GF垂直梯度凝固法 250

分子束外延 253

半导体工艺中的“退火” 257

激光器材料生长——张应变和压应变 260

衍射极限 264

电子束光刻EBL 269

纳米压印 271

激光器波导结构制作：干法刻蚀与湿法刻蚀 273

MACOM激光器垂直端面刻蚀 280

DFB激光器的倒台波导 283

磁控溅射——光芯片电极制作 287

CBN立方氮化硼 291

脉冲激光溅射 292

电子束蒸镀——光芯片电极制作 296

半导体激光器欧姆接触以及欧姆接触与肖特基接触的区别 299

激光器减薄，与台阶仪厚度检测原理 304

激光器端面钝化 307

激光器从材料到芯片 310

激光器晶圆划片与裂片 314

特殊波导制作与激光冷加工 319

半导体物理与器件结构 324

电芯片的材料Si， GeSi和GaAs 324

半导体材料，P型、N型半导体与PN结 328

FET，MOSFET，MESFET，MODFET 330

三星3 nm全环栅结构 335

5 nm晶体管技术之争-GAA FET，IMEC 8 nm纳米线 337

晶体管之BJT， FET， CMOS， HBT， HEMT 340

电芯片的锗硅与CMOS区别 343

MOSFET与符号 344

缩略语 349

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