2013 年出版208 页ISBN：9787030386755
本书介绍了多种自主的新型相变材料，介绍了双沟道外延二极管等方面的内容，有望解决高密度、大容量、嵌入式PCRAM的技术难题，对于实现高密度大容量PCRAM等具有重要的学术价值和应用价值，有助于我国在信息技术领域...
2006 年出版203 页ISBN：7030165187
本书是《实用电子技术丛书》之一。本系列共9本。本书主要介绍各种半导体存储器的结构与使用方法，设计的半导体存储器有UV-EPROM，闪存，EPROM，SRAM特殊的SRAM，DRAM等。...
2014 年出版121 页ISBN：9787030414991
本书系统总结、归纳和对比了近来国际上以及林教授组在阻变存储器核心技术上研究的最新成果以及发展趋势，如阻变存储器材料、机理、器件、电路设计，内容非常深入和系统完整。这本书会对大陆的研究者深入了解阻...
2002 年出版227 页ISBN：7118027677
本书介绍了EEPROM单元结构的变革及发展方向，EEPROM的电路设计技术，EEPROM中隧道氧化层的可靠性研究，电可改写集成电路的应用等12章内容。
2010 年出版253 页ISBN：9787030267405
本书提出了快速发现新型相变材料的理论与方法，高密度存储单元的优化设计与存储性能表征，高密度存储单元的纳米加工机理，以及降低操作电流的多种途径，PCRAM芯片的设计与制造等。本书对相关领域的科技人员和研究...
2004 年出版291 页ISBN：7810774905
本书上篇详细介绍了存储器函数变换技术的原理及设计方法。下篇详细介绍了存储器函数变换技术在仪器表设计、电力电子技术、自动控制系统、电视、通讯等方面的典型应用实例。...
2005 年出版511 页ISBN：7121014904
VLSI测试包括数字、存储器和混合信号三类电路测试，本书系统地介绍了这三类系统的测试和可测试性设计。全书共分三个部分。第一部分是测试基础，介绍了测试基本概念、测试设备、测试经济学和故障模型。第二部分...
