书籍 金属-氧化物-半导体场效应晶体管电路设计的封面

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姚尔久译

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9

出版社

北京:科学出版社

出版时间

1971

ISBN

标注页数

151 页

PDF页数

156 页

图书目录

目录 1

符号表 1

第一章 MOS场效应晶体管入门 1

1·1 MOS的工作原理 3

1·2 特性曲线 4

1·3 数字电路 6

1·4 速度 9

1·5 互补结构 11

1·6 MOS工艺展望 12

第二章 工作原理 17

2·1 定性分析 18

2·2 定量分析 22

2·3 阈电压的附加考虑 36

2·4 MOS方程和器件符号的总结 47

第三章 MOS特性及其与方程的相互关系 52

3·1 饱和区 52

3·2 三极管区 66

3·3 迁移率 70

第四章 瞬态响应 75

4·1 截止频率 75

4·2 MOS的开关速度 77

第五章 MOS集成电路基本概念 95

5·1 作负载电阻用的MOS 96

5·2 MOS倒相器 103

5·3 基本的积木式单元 116

5·4 冗余件(对MOS电路是很理想的) 121

5·5 用电容存储原理来简化电路 122

5·6 主从触发器 126

5·7 一种实际集成电路的介绍 128

第六章 模拟电路 135

6·1 共源放大器 135

6·2 源跟随器 137

6·3 共栅放大器(栅接地) 140

6·4 各种放大器组态 141

附录 150

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