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目录 1

序 1

前言 1

第一章　绪论 1

第二章 缩小到纳米尺寸的CMOS器件面临的挑战 8

2.1 器件尺寸缩小对工艺技术的挑战 8

2.2　栅氧化层减薄的限制 10

2.3　量子效应的影响 20

2.4　迁移率退化和速度饱和 26

2.5　杂质随机分布的影响 33

2.6　阈值电压减小的限制 44

2.7　源、漏区串联电阻的影响 49

参考文献 57

第三章 纳米CMOS器件的图形制备技术 59

3.1　光刻工艺技术的进展 59

3.2　分辨率增强技术 63

3.3　下一代光刻技术的研究进展 68

3.4　一种实用的超细栅线条制备技术 74

3.5　超细线条刻蚀技术 78

参考文献 84

第四章 纳米CMOS器件中的栅工程 86

4.1 CMOS器件中的MIS栅结构 86

4.2　氮氧硅栅介质 93

4.3　高介电常数栅介质 98

4.4 纳米CMOS技术中的新型栅电极材料 107

参考文献 120

第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术 123

5.1 沟道工程要解决的问题 123

5.2　纵向沟道工程 124

5.3 纳米CMOS器件中的横向沟道工程 148

5.4 纳米CMOS中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展 180

参考文献 190

第六章　新型纳米CMOS器件 193

6.1　新型衬底结构器件 193

6.2　新型栅结构器件 218

6.3　新型沟道结构器件 286

6.4　新型源漏结构器件 302

6.5　新型工作机制器件 315

参考文献 335

主要符号表 342

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