傅英,陆卫著2005 年出版337 页ISBN:7030136284
本书主要介绍了低维半导体材料的电学和光学性质,电学量子器件原理,光学量子器件原理和量子材料及器件的制备工艺等。书中既给出了传统的二极管、三极管的器件在纳米尺度上的许多量子特性,又对新型的量子点单电...
褚君浩著2005 年出版934 页ISBN:7030144147
本书主要讨论了窄禁带半导体物理的基本物理性质,包括晶体生长、能带结构、光学常数、晶格振动、自由载流子的激发和运输、杂质缺陷、非线性光学性质、表面界面、二维电子气超晶格和量子阱、器件物理的方面基...
宋建军,杨雯,赵新燕著2019 年出版132 页ISBN:7560652948
能带结构与载流子迁移率是深入研究硅基应变材料基本属性,发展高速/高性能器件和电路的重要理论基础。本书共6章,主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容,重点讨论了如何建立硅基应变材料能管结构与教流子迁移...
杜宝勋著2004 年出版196 页ISBN:7801722787
本书介绍了半导体激光器的基本原理,主要内容包括:电子光跃迁和光子波发射的理论,光子波传播和光子波限制的理论,载流子注入和载流子限制理论,以及各种半导体激光器的理论。本书可供光电研究专业的师生及相关科技...