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王敬义主编

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14

出版社

武汉:华中理工大学出版社

出版时间

1993

ISBN

标注页数

432 页

PDF页数

446 页

图书目录

第一章 薄膜通论 1

一、薄膜及其特点 1

二、薄膜的制备 5

三、薄膜的生长过程 11

四、气相淀积统一模型 18

五、薄膜材料及其应用 24

思考与练习一 31

第一章参考文献 32

第二章 薄膜生长理论中的流体力学基础 34

一、基本概念 34

二、流体质点的变形与连续方程 37

三、动量方程 41

四、能量方程 45

五、可压缩流体的流动 48

六、顺流平板附面层问题 55

思考与练习二 59

第二章参考文献 60

第三章 传质理论与计算 61

一、概述 61

二、分子传质 63

三、扩散系数 66

四、热扩散 73

五、对流传质与相间传质 80

思考与练习三 89

第三章参考文献 89

第四章 薄膜生长过程中的热计算 91

一、传热方式和热导率 91

二、发热的计算 99

三、传导散热的分折与计算 101

四、对流散热的分析与计算 111

五、辐射散热的分析与计算 122

六、温升与冷却过程分析 130

七、激光束对薄膜的热效应分析 134

思考与练习四 139

第四章参考文献 139

第五章 化学热力学与反应动力学基础 141

一、概述 141

二、化学反应中的热效应 143

三、薄膜生长过程中的其它热效应 151

四、化学平衡及其计算 156

五、化学反应速率 162

六、化学反应活化能 168

七、典型均相反应分析 170

八、吸附与脱附 177

九、表面反应 185

思考与练习五 189

第五章参考文献 189

第六章 热CVD技术与理论 191

一、热CVD的反应室结构 191

二、晶体硅薄膜的制备技术与理论 198

三、非晶硅薄膜生长 206

四、陶瓷薄膜的热CVD生长 218

五、化合物半导体薄膜与MOCVD 228

六、热CVD薄膜的生长理论 235

七、甲硅烷热CVD的生长速率模型 241

思考与练习六 252

第六章参考文献 253

第七章 等离子体中的碰撞理论 256

一、等离子体概述 256

二、等离子体中的碰撞问题 260

三、电子与中性粒子的碰撞激发 269

四、电子碰撞电离 275

五、离子与中性粒子的碰撞 283

六、等离子体的诊断技术 290

思考与练习七 297

第七章参考文献 298

第八章 等离子体的分析与计算 300

一、等离子体的描述方法 300

二、等离子体的热力学分析 304

三、等离子体动力论分析 312

四、直流放电鞘层中离子能量分布 314

五、射频放电鞘层中离子能量分布 321

六、考虑传播角度的离子能量分布 328

七、电子能量分布 339

八、直流辉光放电宏观参数 344

九、射频辉光放电的宏观参数 359

思考与练习八 368

第八章参考文献 368

第九章 等离子体淀积技术与理论 372

一、反应室结构 372

二、离子束淀积技术 381

三、a-Si:H薄膜的制备——PFCVD 392

四、等离子体淀积中的理论问题 400

五、靶中毒的分析与缓解措施 409

六、靶中毒的微观分析 419

思考与练习九 426

第九章参考文献 426

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