叶志镇，吕建国，吕斌，张银珠编著2014 年出版237 页ISBN：9787308139106
“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材，浙江大学材料科学与技术丛书。本科生教学用书，介绍半导体薄膜的真空技术；物理气相沉积技术（PVD）；化学气相沉积技术（CVD）；分子束外延技术；液相外延技术等内容。...
刘新福等编著2007 年出版304 页ISBN：7502441018
本书讨论了微区电学参数测试的重要性，综述了当今已研究出来的各种半导体测试方法的特点；详细分析四探针测量技术的基本原理，重点讨论常规直线四探针法、改进范德堡法和改进Ry-inaszewski四探针测试方法；讨论测...
傅英，陆卫著2005 年出版337 页ISBN：7030136284
本书主要介绍了低维半导体材料的电学和光学性质，电学量子器件原理，光学量子器件原理和量子材料及器件的制备工艺等。书中既给出了传统的二极管、三极管的器件在纳米尺度上的许多量子特性，又对新型的量子点单电...
褚君浩著2005 年出版934 页ISBN：7030144147
本书主要讨论了窄禁带半导体物理的基本物理性质，包括晶体生长、能带结构、光学常数、晶格振动、自由载流子的激发和运输、杂质缺陷、非线性光学性质、表面界面、二维电子气超晶格和量子阱、器件物理的方面基...
宋建军，杨雯，赵新燕著2019 年出版132 页ISBN：7560652948
能带结构与载流子迁移率是深入研究硅基应变材料基本属性，发展高速/高性能器件和电路的重要理论基础。本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能管结构与教流子迁移...
