硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究PDF电子书下载

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第1章 绪论 1

1.1 背景简介 1

1.1.1 Sr/Si体系研究的兴起 1

1.1.2 硅基氧化物晶态外延生长研究近况 2

1.1.3 Sr/Si表面的研究近况 6

1.1.4 SrTiO3/Si（100）和Sr/Si体系研究存在的问题 16

1.2 研究内容 16

1.3 主要实验方法和仪器 17

1.3.1 PLD实验方法 17

1.3.2 STM简介 20

1.3.3 仪器系统 25

第2章 Sr/Si（100）再构表面的制备 29

2.1 引言 29

2.2 Sr/Si（100）的获得 29

2.2.1 Si（100）衬底再构表面的获得 29

2.2.2 SrO/Si（100）的制备 31

2.2.3 SrO/Si（100）结构表征方法 32

2.3 Sr/Si（100）表面SrO晶态的形成 35

2.4 Sr/Si（100）高温退火情况 38

2.5 高温SrO/Si（100）表面随时间的变化 40

2.6 结论 45

第3章 Sr/Si（100）-2×3表面的几何结构及初始氧化研究 46

3.1 引言 46

3.2 实验及理论计算方法 47

3.2.1 实验方法 47

3.2.2 理论计算 47

3.3 Sr/Si（100）-2×3表面的电子和几何结构 48

3.3.1 Sr/Si（100）-2×3表面STM特征 48

3.3.2 I-V和dI/dV特性 50

3.3.3 Sr/Si（100）-2×3表面的几何结构与电子之间的相互关联 51

3.3.4 Sr/Si（100）-2×3电子态变温结果 55

3.3.5 Sr/Si（100）-2×6及2×3的极低偏压图像 58

3.4 Sr/Si（100）-2×3表面的初始氧化及其结构 61

3.4.1 Sr/Si（100）-2×3表面氧化及还原过程 61

3.4.2 氧的初始吸附和氧化位 62

3.5 Sr/Si（100）-2×3干净表面的原始缺陷及其电子态 66

3.6 结论 69

第4章 Sr/Si（100）-2ב1’再构表面及原子的动态移动 70

4.1 引言 70

4.2 Sr/Si（100）-2ב1’表面的获得 71

4.3 实验主要结果及讨论 72

4.3.1 Sr/Si（100）-2ב1’表面的结构 72

4.3.2 Sr/Si（100）-2ב1’表面室温下原子的迁移现象 76

4.4 结论 79

第5章 Sr/Si（111）-3×2表面结构及原子迁移 80

5.1 引言 80

5.2 Sr/Si（111）-3×2表面的获得 84

5.2.1 衬底Si（111）-7× 784

5.2.2 Sr/Si（111）-3×2表面的获得 85

5.3 Sr/Si（111）-3×2表面形貌及原子链的整体迁移 86

5.3.1 Sr/Si（111）-3×2表面的典型形貌 86

5.3.2 Sr/Si（111）-3×2表面的电子结构 88

5.3.3 Sr/Si（111）-3×2表面的结构模型 89

5.3.4 Sr原子链的移动现象及机制 91

5.4 结论 96

第6章 TiSi2/Si（100）纳米岛的STM研究 97

6.1 引言 97

6.2 实验过程与结果分析 98

6.2.1 实验过程 98

6.2.2 结果分析 99

6.3 纳米岛产生的原因 103

6.4 结论 109

第7章 总结及展望 110

7.1 主要结论 110

7.1.1 3种表面再构的分析比较 110

7.1.2 几种新现象的发现与解释 110

7.2 展望 111

参考文献 113

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